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产品类目

RAM 选型列表

ISSI - 异步SRAM

型号 容量 组织结构 工作电压 速率 (ns) 封装 备注
5V
高速率系列
256K 32K*8 5V 10/12 SOJ28,TSOP1-28
1M 128K*8 5V 12 SOJ32,TSOP1-32,STSOP1-32 SOJ分两种尺寸
5V
低功耗系列
256K 32K*8 5V 25/45 SOP28,TSOP1-28
1M 128K*8 5V 35 SOP32,TSOP1-32
高速率
低功耗系列
1M 64K*16 3.3V 8/10/12 SOJ44,TSOP2-44,MBGA48  
4M 256K*16 3.3V 10/12 SOJ44,TSOP2-44,LQFP44,MBGA48  
4M 512K*8 3.3V 8/10/12 SOJ36,TSOP2-44,MBGA36  
8M 512K*16 3.3V 8/10/12 TSOP2-44,MBGA48  
PowerSaver
低功耗系列
256K 32K*8 3.3V 20/45 SOJ28,SOP28,TSOP1-28
1M 128K*8 2.5-3.6V 45/55 SOP32,TSOP1-32,STSOP1-32,MBGA36
2M 128K*16 2.5-3.6V 45/55/70 MBGA48,TSOP2-44 2CS可选
2M 256K*8 2.5-3.6V 55/70 TSOP1-32,STSOP1-32,MBGA36
4M 256K*16 2.5-3.6V 55/70 MBGA48,TSOP2-44  
4M 512K*8 2.5-3.6V 55/70 TSOP1-32,STSOP1-32,MBGA36,TSOP2-32,SOP32  
8M 512K*16 2.5-3.6V 45/55 MBGA48,TSOP2-44  

CYPRESS - SRAM

型号 容量 接口 工作电压 速率 (ns) 备注
128K*8 并口 4.5V-5.5V 70
CY62128E 128K*8 并口 4.5V-5.5V 45
CY62136V 128K*16 并口 2.7V-3.6V 55
CY62148E 512K*16 并口 4.5V-5.5V 45
CY62148EV30 512K*16 并口 2.2V-3.6V 45
32K*8 并口 4.5V-5.5V 50/70

Micron - SDRAM

型号 容量 结构 位宽 电压 接口 备注
256 Mb 4 x 16M x 4bits 4 bits 3.3 V 并行
256 Mb 4 x 8M x 8bits 8 bits 3.3 V 并行
256 Mb 4 x 4M x 16bits 16 bits 3.3 V 并行

Samsung - SDRAM

型号 容量 结构 位宽 电压 接口 备注
256 Mb 4 x 16M x 4bits 4 bits 3.3 V 并行
256 Mb 4 x 8M x 8bits 8 bits 3.3 V 并行
256 Mb 4 x 4M x 16bits 16 bits 3.3 V 并行

DALLAS - NV SRAM

型号 存储类型 容量 组织结构 接口 工作电压 电压容差 速率 (ns)
非易失SRAM 64K 8K*8 并口 4.5V~5.5V 5V±10% 150,170,200
非易失SRAM 256K 32K*8 并口 4.5V~5.5V 5V±10% 70,85,100,120,150,200
非易失SRAM 256K 32K*8 并口 4.75V~5.25V 5V±5% 70,85,100,120,150,200
非易失SRAM 1M 128K*8 并口 4.75V~5.25V 5V±5% 70,85,100,120

SK Hynix - SDR SDRAM

型号 存储类型 容量 组织结构 Power 工作电压 RoHS 速率 (ns)
CMOS同步DRAM 128Mb x16 Normal/Low 3.3V O 50/60/70/75
CMOS同步DRAM 256Mb x16 Normal/Low 3.3V O 50/60/70/75

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